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型号 IPA028N08N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
IPA028N08N3 G PDF
代理商 IPA028N08N3 G
标准包装 500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 89A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.8 毫欧 @ 89A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 270µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 206nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 14200pF @ 40V
功率 - 最大 42W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 PG-TO220-FP
包装 管件
其它名称 SP000446770
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